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Datasheet > KTC4378-Y

KTC4378-Y PDF预览

KTC4378-Y

更新时间： 2024-02-08 03:13:14

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	900K
描述
NPN Transistors

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技术参数
数据手册

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KTC4378-Y 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

KTC4378-Y 数据手册

浏览型号KTC4378-Y的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号KTC4378-Y的Datasheet PDF文件第3页

SMD Type

Transistors

NPN Transistors

KTC4378

1.70 0.1

■ Features

● High Voltage and High fT

● High Current

● Complementary to KTA1668

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

80

60

5

Collector Current - Continuous

Collector Current - Pulse

I

C

1

A

I

CP

2

500

mW

W

Collector Power Dissipation

PC

1

Junction Temperature

T

J

150

℃

Storage Temperature Range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

80

60

5

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= 100uA， I

Ic= 1 mA，I =0

= 100uA， I

E= 0

B

I

E

C= 0

I

CBO

EBO

V

V

CB= 80V , I

EB= 5V , I

E

= 0

0.1

0.1

0.5

1.2

320

uA

V

I

C

=0

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=500mA, I

B

=50mA

=50mA

V

C

=500mA, I

B

V

V

V

V

CE= 2V, I

CE= 2V, I

C

=50mA

=1 A

100

30

DC current gain

hFE

C

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

CB= 10V,f=1MHz

^CE= 10V, I = 50mA

12

pF

f

C

150

MHz

■ Classification of hfe(1)

Type

Range

Marking

KTC4378-Y

100-200

TY

KTC4378-G

160-320

YG

1

www.kexin.com.cn

12 3

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与KTC4378-Y相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KTC4378Y(SOT-89-3L)	JCST	Transistor	获取价格
KTC4379	KEC	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING)	获取价格
KTC4379	TYSEMI	Collector Power Dissipation: PC=500mW	获取价格
KTC4379	WEITRON	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	获取价格
KTC4379	HTSEMI	TRANSISTOR (NPN)	获取价格
KTC4379	KEXIN	NPN Transistors	获取价格

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