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KTC4377

更新时间： 2024-09-28 14:55:03

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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描述
双极型晶体管

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KTC4377 技术参数

极性：	NPN	Collector-emitter breakdown voltage：	10
Collector Current - Continuous：	2	DC current gain - Min：	140
DC current gain - Max：	600	Transition frequency：	120
Package：	SOT-89	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

KTC4377 数据手册

KTC4377

SOT-89 Transistor(NPN)

1. BASE

SOT-89

2. COLLECTOR

3. EMITTER

4.6

4.4

1.6

1.4

1.8

1.4

Features

2.6

4.25

2.4

3.75

Low voltage

0.8

MIN

0.53

0.40

2x)

0.48

0.35

1.5

0.44

0.37

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

0.13

3.0

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Dimensions in inches and (millimeters)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

0.5

℃

T_J

150

-55-150

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=1mA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=1mA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=30V,I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=6V,I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=1V,I_C=0.5A

V_CE=1V,I_C=2A

140

600

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=2A,I_B=50mA

V_CE=1V,I_C=2A

0.5

1.5

Transition frequency

f_T

V_CE=1V,I_C=0.5A

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

420-600

Range

Marking

140-240

200-330

300-450

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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