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KTC4377(SOT-89-3L)

更新时间： 2024-02-20 20:44:59

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江苏长电/长晶 - CJ		/
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描述
Transistor

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KTC4377(SOT-89-3L) 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

KTC4377(SOT-89-3L) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-89-3L

KTC4377 TRANSISTOR (NPN)

1. BASE

FEATURES

Low voltage

2. COLLECTOR

3. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

P_C

0.5

℃

T_J

150

-55~150

T_stg

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=1mA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=10mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=1mA,I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=30V,I_E=0

0.1

μA

Emitter cut-off current

V_EB=6V,I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=1V,I_C=0.5A

V_CE=1V,I_C=2A

140

600

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=2A,I_B=50mA

V_CE=1V,I_C=2A

0.5

1.5

Transition frequency

f_T

V_CE=1V,I_C=0.5A

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

420-600

Range

Marking

140-240

200-330

300-450

A,Jun,2011

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