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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KTC3879 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, HF VHF BAND AMPLIFIER) |
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| KTC3879 | BL Galaxy Electrical |
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NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| KTC3879 | SECOS |
获取价格 |
0.05A , 35V NPN Plastic Encapsulated Transistor |
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| KTC3879 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR (NPN) |
|
| KTC3879 | CJ |
获取价格 |
SOT-23 |
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| KTC3879 | LGE |
获取价格 |
双极型晶体管 |
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| KTC3879 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
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| KTC3879S | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-23 |
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| KTC3880 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER, VHF BAND AMPLIFIER) |
|
| KTC3880 | TYSEMI |
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Collector Power Dissipation: PC=150mW |
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