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KTC3876S

更新时间： 2024-05-23 22:23:14

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SOT-23

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KTC3876S 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.67
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

KTC3876S 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3876S

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

2.93 0.20

· Excellent h_FELinearity

1.30+0.20/-0.15

1.30 MAX

0.40+0.15/-0.05

2.40+0.30/-0.20

1.90

: h_FE(2)=25(Min.) at V_CE=6V, I_C=400mA.

· Complementary to KTA1505S.

0.95

0.13+0.10/-0.05

0.00 ~ 0.10

0.55

0.20 MIN

1.00+0.20/-0.10

1. EMITTER

2. BASE

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

3. COLLECTOR

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

SOT-23

500

℃

I_B

Base Current

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

Marking

T_j

150

Rank

Lot No.

T_stg

-55∼ 150

℃

Type Name

℃

)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

400

UNIT

μA

V_CB=35V, I_E=0

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

μA

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=6V, I_C=400mA

I_C=100mA, I_B=10mA

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=6V, I_C=20mA

V_CB=6V, I_E=0, f=1MHz

DC Current Gain (Note)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

0.1

0.8

300

7.0

0.25

1.0

f_T

Transition Frequency

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

(Note) : h_FE(1) Classification O:70∼ 140 Y:120∼ 240 GR:200∼ 400

h_FE(2) Classification

O:25Min.

Y:40Min.

2020. 10. 05

Revision No : 4

1/2

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