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KTC3266

更新时间： 2024-11-16 22:39:55

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KEC		晶体开关晶体管功率放大器局域网
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2页	76K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, POWER SWITCHING)

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KTC3266 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

KTC3266 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3266

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

POWER AMPLIFIER APPLICATION.

POWER SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

ᴌLow Saturation Voltage.

: V_CE(sat)=0.5V(Max.) at I_C=2A

ᴌComplementary to KTA1296.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

0.85

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

0.45

14.00 +0.50

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

RATING

UNIT

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

I_B

Base Current

0.5

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

625

ᴱ

TO-92

T_j

150

T_stg

-55ᴕ150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

0.1

400

UNIT

ỌA

V_CB=20V, I_E=0

Collector Cut-off Current

I_EBO

h_FE(1) (Note)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_EB=6V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

120

ỌA

V_CE=2V, I_C=0.1A

V_CE=2V, I_C=2A

I_C=2A, I_B=0.1A

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

0.5

0.85

V_CE=2V, I_C=0.1A

V_CE=2V, I_C=0.5A

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

f_T

Transition Frequency

120

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FE(1) Classification Y:120ᴕ240, GR:200ᴕ400

2000. 11. 30

Revision No : 0

1/2

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