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KTC3205Y

更新时间： 2024-09-10 14:51:55

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	246K
描述
Transistor

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KTC3205Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	2 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	160	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

KTC3205Y 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TO-92L

KTC3205 TRANSISTOR (NPN)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

Complementary to KTA1273

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P_C

℃

T_J

150

T_stg

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Ic= 1mA , I_E=0

I_C= 10mA, I_B=0

I_E= 1mA, I_C=0

V_CB= 30V, I_E=0

0.1

320

2.0

1.0

µA

I_EBO

V_EB= 5V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE= 2 V, I_C= 500 mA

I_C= 1.5A, I_B= 30 mA

V_CE=2V, I_C= 500mA

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Transition frequency

_CE= 2 V, I_C= 500mA

120

MHz

f_T

Collector Output Capacitance

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

V_CB=10V, I_E=0,f=1MH_Z

C_ob

Range

100-200

160-320

A,Jun,2011

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