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KTC3205Y(SOT-89-3L)

更新时间： 2024-11-18 20:03:59

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	439K
描述
Transistor

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KTC3205Y(SOT-89-3L) 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

KTC3205Y(SOT-89-3L) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-89-3L

KTC3205 TRANSISTOR (NPN)

1 2 3

1. BASE

FEATURES

2. COLLECTOR

3. EMITTER

High current application

Complementary to KTA1273

MAXIMUM RATINGS(T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

P_C

0.5

℃

T_J, T_stg

Junction and Storage Temperature

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V(BR)

CBO

I_C= 1mA , I_E=0

V(BR)

CEO

I_C= 10mA, I_B=0

V(BR)

EBO

I_E= 1mA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB= 30V, I_E=0

0.1

320

2.0

1.0

µA

Emitter cut-off current

V_EB= 5V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE= 2 V, I_C= 500 mA

I_C= 1.5A, I_B= 30 mA

V_CE=2V, I_C= 500mA

100

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

Transition frequency

_CE=2V, I_C= 500mA

120

MHz

f_T

V_CB=10V,

Collector Output Capacitance

C_ob

I_E=0V,f=1MH_Z

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

100-200

160-320

A,Jun,2011

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