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KTC3195

更新时间： 2024-11-24 14:54:27

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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2页	797K
描述
双极型晶体管

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KTC3195 技术参数

极性：		Collector-emitter breakdown voltage：	30
Collector Current - Continuous：	0.02	DC current gain - Min：	#
DC current gain - Max：		Transition frequency：
Package：	TO-92S	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

KTC3195 数据手册

KTC3195

TO-92S Transistor (NPN)

TO-92S

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

1 2 3

Features

Small reverse transfer capacitance C_re=0.7pF(Typ)

Low noise Figure: NF=2.5dB(Typ.)

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

Units

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

℃

P_C

400

150

-55-150

Dimensions in inches and (millimeters)

T_J

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

V_(BR)CBOI_C=100μA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=100μA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

h_FE(1)

f_T

V_CB=40V, I_E=0

V_EB=4V, I_C=0

0.5

200

μA

V_CE=6V, I_C=1mA

Transition frequency

300

550

0.7

2.5

MHz

Reverse Transfer capacitance

Noise figure

C_re

V_CB=6V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=6V, I_C=1mA,f=100MHZ

Power Gain

G_pe

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

40-80

70-140

100-200

Range

Marking

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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