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KTA1662

更新时间： 2024-06-27 12:12:43

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PNP Transistor

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KTA1662 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.73	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	263
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	11
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

KTA1662 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP General Purpose Transistors

KTA1662

Unit:mm

SOT-89

1.50 ±0.1

4.50±0.1

1.80±0.1

■ Features

● Small Flat Package.

● Complementary to KTC4374.

0.44±0.1

0.48±0.1

0.53±0.1

3.00±0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

Unit

-80

-5

Collector current

-0.4

Collector power dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

500

℃

150

Tstg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test conditons

Min

Typ Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V(BR)CBO

V(BR)CEO

V(BR)EBO

ICBO

IC=-1mA,IE=0

-80

-5

IC=-10mA,IB=0

IE=-1mA,IC=0

VCB = -80 V, IE = 0

VEB = -5 V, IC = 0

-0.1

240

µA

Emitter cut-off current

IEBO

VCE = -2 V, IC = -50mA

VCE = -2 V, IC = -200m A

IC = -200mA, IB = -20mA

VCE=-2V,IC=-5mA

VCE=-10V,IC=-10mA

DC current gain

hFE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

VCE (sat)

VBE

-0.4

-1.2

Transition frequency

120

MHz

Collector output capacitance

Cob

VCB=-10V,IE=0,f=1MHz

■ hFE Classification

Marking

Rank

Range

70～140

120～240

www.kexin.com.cn

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