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KTA1535T

更新时间： 2024-11-16 21:55:43

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KEC		晶体晶体管局域网
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3页	86K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KTA1535T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	160 MHz
Base Number Matches：	1

KTA1535T 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTA1535T

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

RELAY DRIVERS, LAMP DRIVERS,

MOTOR DRIVERS AND STROBES APPLICATION.

FEATURES

DIM MILLIMETERS

ᴌAdoption of MBIT Processes.

ᴌHigh Current Capacitance.

2.9+0.2

1.6+0.2/-0.1

0.70+0.05

ᴌLow Collector-to-Emitter Saturation Voltage.

ᴌHigh Speed Switching.

0.4+0.1

2.8+0.2/-0.3

1.9+0.2

0.95

ᴌUltrasmall-Sized Package permitting applied sets to be

made small and slim.

0.16+0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

ᴌHigh Allowable Power Dissipation.

ᴌComplementary to KTC3535T

0.55

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

1. EMITTER

2. BASE

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-20

UNIT

3. COLLECTOR

-20

-5

-3

TSM

Collector Current

I_CP

Pulse

-5

I_B

Base Current

600

Marking

P_C*

T_j

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

0.9

Lot No.

150

ᴱ

T_stg

-55ᴕ150

ᴱ

Type Name

S D

* Package mounted on a ceramic board (600Ὅᴧ0.8Ὂ)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP. MAX. UNIT

V_CB=-12V, I_E=0

-0.1

ỌA

I_EBO

V_EB=-4V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

-0.1

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

V_CE(sat)

V_BE(sat)

h_FE

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

I_C=-10ỌA, I_E=0

-20

-5

I_C=-1mA, I_B=0

I_E=-10ỌA, I_C=0

I_C=-1.5A, I_B=-30mA

V_CE=-2V, I_C=-500mA

V_CB=-10V, f=1MHz

-130

-0.85

-165

-1.2

560

200

f_T

Transition Frequency

160

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

PW=20µs

t_on

t_stg

t_f

Turn-On Time

DC 1%

OUTPUT

INPUT

1kΩ

Swiitching

Storage Time

Time

50Ω

220µF

470µF

=5V

=-5V

Fall Time

-20I =20I =I =-1.5A

2001. 6. 28

Revision No : 0

1/3

12 3

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