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KTA1504

更新时间： 2024-02-13 16:54:49

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PNP Transistors

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KTA1504 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

KTA1504 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Transistors

KTA1504

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

■ Features

● Excellent hFE Linearity

● Low Noise

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

● Complementary to KTC3875

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Symbol

Rating

-50

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

-50

-5

Collector Current - Continuous

Base Current

-150

-30

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

150

833

150

RΘJA

℃/W

℃

Storage Temperature range

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Ic= -100 μA， I =0

Ic= -1 mA， I =0

= -100μA， I

Min

-50

-5

Typ

Max

Unit

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

CBO

EBO

^CB= -50 V , I

EB= -5V , I

-100

-0.3

-1.2

400

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

CE(sat)

BE(sat)

=-100 mA, I

=-10mA

C=-100 mA, I

hFE

^CE= -6V, I

= -2mA

= 0,f=1MHz

= -1mA

Collector output capacitance

Transition frequency

CB= -10V, I

CE= -10V, I

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

KTA1504-O

70-140

KTA1504-Y

120-240

ASY

KTA1504-G

200-400

ASG

ASO

www.kexin.com.cn

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