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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KTA1271_05 | KEC |
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TO-92 PACKAGE |
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| KTA1271A | KEC |
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA |
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| KTA1271O | CJ |
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Transistor |
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| KTA1271Y | CJ |
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Transistor |
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| KTA1272 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT) |
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| KTA1273 | KEC |
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EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT) |
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| KTA1273 | HTSEMI |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| KTA1273 | TYSEMI |
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Collector Power Dissipation: PC=500mW |
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| KTA1273 | CJ |
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TO-92L |
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| KTA1273 | FOSHAN |
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TO-92LM |
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