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KTA1270Y

更新时间： 2024-01-27 09:15:01

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江苏长电/长晶 - CJ		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	258K
描述
Transistor

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KTA1270Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

KTA1270Y 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

KTA1270

TRANSISTOR (PNP)

TO-92

FEATURES

1.EMITTER

General Purpose Application Switching Application

2. COLLECTOR

3. BASE

MAXIMUM RATINGS (T^a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-35

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-30

-5

Collector Current –Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-0.5

P_C

500

T_J

150

℃

T_stg

Storage Temperature

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C= -100µA, I_E=0

I_C= -1mA , I_B=0

I_E= -100µA, I_C=0

V_CB= -35 V , I_E=0

-35

-30

-5

-0.1

240

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5 V ,

I_C=0

h_FE1

V_CE=-1 V, I_C= -100mA

V_CE=-6 V, I_C= -400mA

I_C= -100mA, I_B= -10mA

V_CE= -1V, I_C= -100mA

DC current gain

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(on)

-0.25

-1

Base-emitter

voltage

V_CE=-6 V, I_C= -20mA

f =100MHz

Transition frequency

200

MHz

f _T

Collector output capacitance

C_ob

V_CB=-6V,I_E=0,f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

h_FE(1)

Range

70-140

25(min)

120-240

40(min)

h_FE(2)

A,June,2011

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