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Datasheet > KT3225T32768ECR33AXX
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KT3225T32768ECR33AXX

更新时间： 2024-11-29 00:15:35
品牌 Logo 应用领域
京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX /
页数 文件大小 规格书
1页 163K
描述
kHz Range Crystal Devices

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KT3225T32768ECR33AXX 数据手册

  
kHz Range Crystal Devices  
Digital Temperature Compensated Crystal Oscillator  
Surface Mount Type DTCXO KT3225T Series  
×
CMOS/ 3.0V Typ./ 3.2 2.5mm  
Features  
How to Order  
KT3225T 32768 E A W 30 T xx  
×
×
• Miniature SMD type (3.2 2.5 1.0mm)  
• Built-in 32.768kHz D-TCXO  
• High frequency stability : 5.0x10 / 40  
①
②
③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧  
-
6
-
+
°
to 85 C  
Series  
Frequency Stability  
Output Frequency  
② ꢀ  
①
③
μ
=
• Low supply current : 1.5 A typ (VDD 3.0V)  
• Temperature compensated voltage  
Range : 2.0V to 5.5V  
Lower Temperature  
④
-
-
-
°
40 C  
°
30 C  
°
20 C  
A
No Temp. Compensated  
A
C
E
-
6
×
×
D
E
3.8 10  
-
6
5.0 10  
Applications  
• High accuracy time references  
• Microcontroller with built in RTC  
Upper Temperature  
Supply Voltage  
⑥
⑤
+
+
+
°
W
T
R
85 C  
30  
33  
50  
3.0V  
3.3V  
5.0V  
°
70 C  
°
60 C  
RoHS Compliant  
Initial Frequency  
Tolerance  
⑦
-
-
6
6
×
×
A
5 5 10  
B
0 5 10  
T
TCXO  
Option Code  
⑧
Packaging (Tape & Reel 3000pcs/ reel)  
Specifications  
Specifications  
Item  
Symbol  
Conditions  
Units  
Min.  
Typ.  
Max.  
Nominal Frequency  
f_nom  
VDD  
32.768  
3.0  
kHz  
V
―
1.3  
―
5.5  
Oscillation Output Voltage  
Temperature Compensated Voltage  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
Frequency Tolerance  
Frequency Stability vs Temp.  
Frequency Stability vs Supply Voltage  
Frequency Aging  
Low Level Output Voltage  
High Level Output Voltage  
Low Level Input Voltage  
High Level Input Voltage  
DUTY Ratio  
VTEM  
T_stg  
T_use  
―
fo-Tc  
df/ fo  
f_age  
2.0  
3.0  
5.5  
V
-
-
+
+
+
+
°
°
10  
10  
×
10 / V  
10  
V
40  
40  
25  
25  
85  
85  
C
C
-
6
6
=
°
-
3.0  
-
5.0  
-
1.0  
-
3.0  
+
3.0  
+
5.0  
+
1.0  
+
3.0  
×
×
Ta 25 2 C  
=- + °  
E : Ta 40 to 85 C  
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
0.6  
1.5  
―
-
-
6
=
=
°
VDD 2.0 to 5.5V, Ta 25 2 C  
-
6
×
IOL=+  
IOH=-  
=
=
VOL  
VOH  
VIL  
1.0mA, VDD 3V  
0.0  
2.2  
0.0  
0.8  
3.0  
1.0mA, VDD 3V  
V
×
0.2 VDD  
V
×
VIH  
Duty  
tr  
0.8 VDD  
5.5  
60  
V
=
CL 15pF  
40  
―
―
―
―
―
―
―
%
→
=
=
Rise Time  
Fall Time  
20%VDD 80%VDD, CL 15pF, VDD 3V  
→ = =  
80%VDD 20%VDD, CL 15pF, VDD 3V  
100  
100  
1.0  
3.0  
2.0  
4.0  
15.0  
nsec  
nsec  
sec  
tf  
=
°
Ta 25 C  
Start-up Time  
t_str  
=-  
°
Ta 40 to 85 C  
sec  
=
=
μ
μ
Power Supply Current1  
Power Supply Current2  
Output Load Condition  
ICC1  
ICC2  
CLKOE VSS  
A
A
CLKOE VDD  
L_CMOS CMOS Output  
pF  
Dimensions  
(Unit: mm)  
Recommended Land Pattern  
(Unit: mm)  
3.2 0.2  
0.55  
0.6  
0.6  
0.55  
#8  
#7  
#6  
#5  
#4  
K
#1  
#2  
#3  
#3  
0.45 0.5  
#1  
#2  
#4  
#5  
Pin No Function  
#1  
#2  
#3  
#4  
#5  
#6  
#7  
#8  
CLKOE  
N.C  
N.C  
VSS  
CLKOUT  
N.C  
N.C  
0.4  
0.4  
0.4  
Note: A capacitor of value 0.01µF between VDD  
#8  
#7  
#6  
and GND is recommended.  
R0.15  
VDD  
0.4 0.5  
0.5  
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