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KT10R25

更新时间： 2024-11-20 22:32:07

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TSS KT Series

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KT10R25 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-221
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.92	最小转折电压：	220 V
最大钳位电压：	290 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大断态直流电压：	190 V	最大维持电流：	100 mA
JEDEC-95代码：	TO-221	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	2
通态非重复峰值电流：	100 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

KT10R25 数据手册

SHINDENGEN

TSS KT Series

OUTLINE DIMENSIONS

Case : TO-221

KT10R25

(Unit : mm)

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings

Item

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Storage Temperature

Junction Temperature

Maximum Off-State Voltage

Tstg

V_DRM

-40～125

125

190

℃

10/1000μs, Non-repetitive

10/200μs, Non-repetitive

8/20μs, Non-repetitive

100

150

250

Surge On-State Current

TSM

●Electrical Characteristics (Tl=25℃)

Item

Symbol

Conditions

Pulse measurement (Peak hold)

V_D=V_DRM

Ratings

M in 220

M ax 10

M in 100

TYP 1.60

M ax 90

Unit

Breakover Voltage

Off-StateCurrent

Holding Current

V_BO

μA

DRM

Pulse measurement

On-State Voltage

JunctionCapacitance

I = 2A

V_T

Cj f=1kHz

OSC = 1V, V_D=50V

ClampingVoltage

V_CL

dv/dt = 100V/μs

Max 290

12 3 4 5 6

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