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KST1009F1S62Z PDF预览

KST1009F1S62Z

更新时间： 2024-09-17 19:34:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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KST1009F1S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

KST1009F1S62Z 数据手册

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KST1009F1/F2/F3/F4/F5  
AM/FM RF Amplifier Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
25  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
Storage Temperature  
350  
150  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
I
V
=15V, I =0  
100  
nA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
FE  
: KST1009F1  
: KST1009F2  
: KST1009F3  
: KST1009F4  
: KST1009F5  
V
=3V, I =0.5mA  
30  
40  
60  
90  
135  
60  
80  
120  
180  
270  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
0.3  
V
MHz  
pF  
CE  
C
B
f
I =1mA, V =6V  
150  
T
C
CE  
C
V
=6V, I =0, f=1MHz  
2
ob  
CB  
E
NF  
Noise Figure  
V
=6V, I =0.5mA  
2.5  
dB  
CE  
C
f=1MHz, R =500Ω  
G
Marking Code  
Type  
KST1009F1  
KST1009F2  
F2  
KST1009F3  
F3  
KST1009F4  
F4  
KST1009F5  
F5  
Mark  
F1  
Marking  
F1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

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