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KSP94TA PDF预览

KSP94TA

更新时间： 2024-10-02 20:06:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 67K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMO

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KSP94TA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.52
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSP94TA 数据手册

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KSP94  
High Voltage Transistor  
•
•
•
High Collector-Emitter Voltage: V  
= -400V  
CEO  
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Complement to KSP44  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-400  
-400  
-6  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
V
CEO  
EBO  
V
I
-300  
625  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55~150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-400  
-400  
-6  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CES  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -100µA, V =0  
C BE  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
I
I
V
= -300V, V =0  
-100  
-1  
nA  
µA  
nA  
CBO  
CB  
CE  
BE  
E
Collector Cut-off Current  
V
V
= -400V, V =0V  
BE  
CES  
EBO  
Emitter Cut-off Current  
= -4V, I =0  
-100  
C
h
h
h
h
DC Current Gain  
V
V
V
V
= -10V, I = -1mA  
40  
50  
45  
40  
FE1  
FE2  
FE3  
FE4  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= -10V, I = -10mA  
300  
C
= -10V, I = -50mA  
C
= -10V, I = -100mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I = -10mA, I = -1mA  
-500  
-750  
mV  
mV  
CE  
CE  
1
2
C
B
I = -50mA, I = -5mA  
C
B
V
(sat)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I = -10mA, I = -1mA  
-750  
mV  
pF  
BE  
C
B
C
V
= -20V, I =0, f=1MHz  
7
ob  
CB  
E
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, July 2002  
12345

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KSP94TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSP94TA ONSEMI

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