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KSP93J05Z PDF预览

KSP93J05Z

更新时间： 2024-10-02 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 68K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

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KSP93J05Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.79
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSP93J05Z 数据手册

 浏览型号KSP93J05Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSP93J05Z的Datasheet PDF文件第3页 
KSP92/93  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
TO-92  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage : KSP92 VCBO  
-300  
-200  
-300  
-200  
-5  
-500  
625  
5
V
V
V
V
V
: KSP93  
Collector-Emitter Voltage : KSP92 VCEO  
: KSP93  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VEBO  
IC  
mA  
mW  
mW/°C  
W
PC  
Collector Dissipation (TA=25°C)  
Derate above 25°C  
Collector Dissipation (TA=25°C)  
Derate above 25°C  
PC  
1.5  
12  
150  
mW/°C  
°C  
°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
TJ  
TSTG  
-55 ~ 150  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
IC= -100mA, IE=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
BVCBO  
V
V
: KSP92  
-300  
-200  
: KSP93  
*Collector-Emitter Breakdown Voltage  
: KSP92  
IC= -1mA, IB=0  
BVCEO  
V
V
V
-300  
-200  
-5  
: KSP93  
IE= -100mA, IC=0  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cur-off Current  
: KSP92  
BVEBO  
ICBO  
VCB= -200V, IE=0  
VCB= -160V, IE=0  
VEB= -3V, IC=0  
VCE= -10V, IC= -1mA  
VCE= -10V, IC= -10mA  
VCE= -10V, IC= -30mA  
mA  
mA  
mA  
-0.25  
-0.25  
-0.10  
: KSP93  
IEBO  
hFE  
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
25  
40  
25  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
V
V
MHz  
IC= -20mA, IB= -2mA  
IC= -20mA, IB= -2mA  
VCE= -20V, IC= -10mA  
-0.50  
-0.90  
VCE (sat)  
VBE (on)  
fT  
50  
Collector Base Capacitance  
: KSP92  
CCB  
pF  
pF  
VCB= -20V, IE=0  
f=1MHz  
6
8
: KSP93  
* Pulse Test: PW£300ms, Duty Cycle£2%  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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