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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSP93BU
KSP93BU PDF预览

KSP93BU

更新时间： 2024-11-04 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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KSP93BU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.79
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSP93BU 数据手册

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KSP92/93  
High Voltage Transistor  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
CEO  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5  
-500  
625  
V
mA  
EBO  
C
I
C
P
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
mW  
mW/°C  
W
a
Derate above 25°C  
5
P
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
1.5  
C
C
Derate above 25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
12  
mW/°C  
°C  
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
BV  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -1mA, I =0  
C B  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
-5  
V
E
C
I
Collector Cur-off Current  
: KSP92  
CBO  
V
V
= -200V, I =0  
= -160V, I =0  
E
-0.25  
-0.25  
µA  
µA  
CB  
CB  
E
: KSP93  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= -3V, I =0  
-0.10  
µA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
V
= -10V, I = -1mA  
25  
40  
25  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= -10V, I = -10mA  
C
= -10V, I = -30mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I = -20mA, I = -2mA  
-0.50  
-0.90  
V
V
CE  
BE  
C
B
I = -20mA, I = -2mA  
C
B
f
V
= -20V, I = -10mA, f=100MHz  
50  
MHz  
T
CE  
C
C
Output Capacitance  
: KSP92  
ob  
V
= -20V, I =0  
6
8
pF  
pF  
CB  
E
: KSP93  
f=1MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
1234

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KSP93BU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSP93TA FAIRCHILD

完全替代

 KSP92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor
KST93MTF FAIRCHILD

功能相似

 PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE, 3000/TAPE REEL

与KSP93BU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSP93J05Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
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 		KSP92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor
KSP94 FAIRCHILD

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 		High Voltage Transistor
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 		High Voltage Transistor
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 		PNP 外延硅晶体管
KSP94BU_NL FAIRCHILD

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