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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSP93
KSP93 PDF预览

KSP93

更新时间： 2024-11-03 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
4页 66K
描述
High Voltage Transistor

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KSP93 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.6最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz

KSP93 数据手册

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KSP92/93  
High Voltage Transistor  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
CEO  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-5  
-500  
625  
V
mA  
EBO  
C
I
C
P
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
mW  
mW/°C  
W
a
Derate above 25°C  
5
P
Collector Power Dissipation (T =25°C)  
1.5  
C
C
Derate above 25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
12  
mW/°C  
°C  
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
BV  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -1mA, I =0  
C B  
: KSP92  
: KSP93  
-300  
-200  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I = -100µA, I =0  
-5  
V
E
C
I
Collector Cur-off Current  
: KSP92  
CBO  
V
V
= -200V, I =0  
= -160V, I =0  
E
-0.25  
-0.25  
µA  
µA  
CB  
CB  
E
: KSP93  
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= -3V, I =0  
-0.10  
µA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
V
= -10V, I = -1mA  
25  
40  
25  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= -10V, I = -10mA  
C
= -10V, I = -30mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I = -20mA, I = -2mA  
-0.50  
-0.90  
V
V
CE  
BE  
C
B
I = -20mA, I = -2mA  
C
B
f
V
= -20V, I = -10mA, f=100MHz  
50  
MHz  
T
CE  
C
C
Output Capacitance  
: KSP92  
ob  
V
= -20V, I =0  
6
8
pF  
pF  
CB  
E
: KSP93  
f=1MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
1234

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KSP93 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN2N3700 RAYTHEON

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,
JANTXV2N3700 RAYTHEON

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

与KSP93相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSP93BU FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
KSP93J05Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
KSP93TA FAIRCHILD

获取价格

 		KSP92/93 PNP Epitaxial Silicon Transistor
KSP94 FAIRCHILD

获取价格

 		High Voltage Transistor
KSP94BU FAIRCHILD

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 		High Voltage Transistor
KSP94BU ONSEMI

获取价格

 		PNP 外延硅晶体管
KSP94BU_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
KSP94TA FAIRCHILD

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/A
KSP94TA ROCHESTER

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 		300mA, 400V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
KSP94TA ONSEMI

获取价格

 		PNP 外延硅晶体管

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