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KSO200P03S(BSO200P03S)

更新时间： 2024-06-27 12:13:32

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P-Channel MOSFET

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KSO200P03S(BSO200P03S) 数据手册

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SMD Type

MOSFIECT

MOS Small Signal Transistor

KSO200P03S(BSO200P03S)

Features

P-Channel

Enhancement mode

Logic level

Avalanche rated

dv /dt rated

Ideal for fast switching buck converter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Continuous drain current TA=25

TA=70

Symbol

steady state

-7.4

Unit

10 secs

-9.1

-7.3

-5.9

-37

-6

I DP

EAS

Pulsed drain current TA=25

Avalanche energy, single pulse *1

Reverse diode dv /dt *2

dv /dt

VGS

kV/

Gate source voltage

Power dissipation

2.36

1.56

Thermal resistance,junction - soldering point

Thermal resistance,junction - ambient

Operating and storage temperature

RthJS

RthJA

T j, T stg

K/W

110

-55 to 150

*1 ID=-9.1A, RGS=25

*2 ID=-9.1A, VDS=20 V,di /dt =200 A/ s,Tj,max=150

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