KSK30R

更新时间： 2024-02-14 02:27:55

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器小信号场效应晶体管
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描述
Low Noise PRE-AMP. Use

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KSK30R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.67	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	FET 技术：	JUNCTION
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KSK30R 数据手册

KSK30

Low Noise PRE-AMP. Use

•

High Input Impedance: I

=1nA (MAX)

GSS

Low Noise: NF=0.5dB (TYP)

High Voltage: V = -50V

GDS

TO-92

1. Source 2. Gate 3. Drain

Silicon N-channel Junction Fet

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Ratings

-50

Units

Gate-Drain Voltage

Gate-Current

GDS

°C

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

100

125

-55 ~ 125

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Gate-Drain Breakdown Voltage

Gate Leak Current

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

=0, I = -100µA

-50

GDS

GSS

DSS

= -30V, V =0

-1

6.5

-5

Drain Leak Current

=10V, V =0

0.3

-0.4

1.2

(off)

Gate-Source Voltage

=10V, I =0.1µA

Forward Transfer Admittance

Input Capacitance

=10V, V =0, f=1KHz

=0, V =0, f=1MHz

8.2

2.6

0.5

iss

rss

Feedback Capacitance

=10V, V =0

f=1MHz

V =15V, V =0

Noise Figure

R =100KΩ

f=120Hz

Classification

DSS

Classification

0.60 ~ 1.40

(mA)

0.30 ~ 0.75

1.20 ~ 3.00

2.60 ~ 6.50

DSS

Rev. B1, November 2002

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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