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KSH5302D

更新时间： 2024-09-17 17:01:35

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TO-220

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KSH5302D 数据手册

N P N S I L I C O N

T R A N S I S T O R

汕头华汕电子器件有限公司

对应国外型号

KSC5302D

KSH5302D

█ 主要用途

█ 外形图及引脚排列

高压快速开关。电子镇流器、电子变压器等应用。

TO-220

█ 极限值（T_a=25℃）

T_stg——贮存温度………………………………… -55~150℃

T_j——结温…………………………………………… 150℃

P_C——集电极功率耗散（T_c=25℃）………………………… 50W

V_CBO——集电极—基极电压……………………………… 700V

V_CEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V

V_EBO——发射极—基极电压………………………………… 9V

I_C——集电极电流（DC）……………………………………… 2A

I_C——集电极电流（脉冲）…………………………………… 5A

I_B——基极电流 …………………………………………………1A

1―基极，B

2―集电极，C

3―发射极，E

█ 电参数（T_a=25℃）

参数符号

符号说明

最小值典型值最大值单位

测试条件

BVCBO

BV^CEO

BVEBO

ICBO

集电极—基极击穿电压

集电极—发射极击穿电压

发射极—基极击穿电压

集电极—基极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

700

400

I^C=1mA,IE=0

I^C=10mA, IB=0

I^E=1mA，IC=0

0.1

μA V^CB=600V, IB=0

I^EBO

V^EB=9V, IC=0

hFE

V^CE=5V, IC=0.5A

V^CE=5V, IC=1mA

V^CE=5V, IC=1A

I^C=0.5A, IB=0.1A

I^C=1A, IB=0.25A

I^C=1.5A, IB=0.5A

I^C=0.5A, IB=0.1A

I^C=1A, IB=0.25A

I^F=1A

V^CE（sat）集电极—发射极饱和电压

0.5

0.8

V^BE(sat)

基极—发射极饱和电压

1.2

1.4

1.5

内部二极管正向压降

贮存时间

t^s

μs Vcc=5V，Ic=0.25A

分档： H1（14--21）

H2（19--26） H3（24--31） H4（29--40）

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