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KSH13007W

更新时间： 2024-09-26 05:41:03

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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KSH13007W 数据手册

N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

KSH13007W

█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-263（D2PAK）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 80W

V_CBO——Collector-Base Voltage…………………………… 700V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V

I_C——Collector Current（DC）……………………………… 8A

I_C——Collector Current（Pulse）…………………………… 16A

I_B——Base Current……………………………………………4A

1―Base，B

2―Collector，C

3―Emitter, E

█ 电参数（T_a=25℃）

Symbol

Characteristics

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Emitter-Base Cutoff Current

DC Current Gain

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

I_C=10mA, I_B=0

V_EB=9V, I_C=0

V_CE=5V, I_C=2A

V_CE=5V, I_C=5A

I_C=2A, I_B=400mA

I_C=5A, I_B=1A

BVCEO

IEBO

HFE（1）

HFE（2）

400

VCE(sat1) Collector- Emitter Saturation Voltage

VCE(sat2)

VCE(sat3)

I_C=8A, I_B=2A

VBE(sat1)

VBE(sat2)

Cob

Base- Emitter Saturation Voltage

1.2 V

1.6 V

I_C=2A, I_B=0.4A

I_C=5A, I_B=1A

V_CB=10V, f=0.1MHz z

V_CE=10V, I_C=500mA

Output Capacitance

Current Gain-Bandwidth Product

Turn On time

110

f_T

tON

tSTG

1.6 uS

0.7 uS

Vcc=125V,Ic=5A

IB1=IB2=1A

Storage Time

Fall Time

█ hFE Classification

24—31

29—40

10—16

14—21

19—26

12 3

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