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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSD227
KSD227 PDF预览

KSD227

更新时间： 2024-09-23 22:47:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Low Frequency Power Amplifier

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KSD227 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.78
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSD227 数据手册

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KSD227  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
Complement to KSA642  
Collector Power Dissipation : P =400mW  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
25  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
300  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
400  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
25  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=25V, I =0  
0.1  
0.1  
400  
0.4  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=1V, I =50mA  
70  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =300mA, I =30mA  
0.14  
V
CE  
C
B
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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KSD227 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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