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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSC5019NTA
KSC5019NTA PDF预览

KSC5019NTA

更新时间： 2024-11-01 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN

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KSC5019NTA 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.79Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：10 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：300
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

KSC5019NTA 数据手册

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KSC5019  
Low Saturation  
•
V
(sat)=0.5V at I =2A, I =50mA  
CE C B  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
* Collector Current (Pulse)  
Base Current  
30  
CBO  
30  
V
CES  
CEO  
EBO  
10  
V
6
V
I
I
I
2
A
C
5
2
A
CP  
B
A
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
750  
mW  
°C  
°C  
C
T
150  
J
T
-55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤30%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
100  
Units  
I
I
V
V
=30V, I =0  
nA  
nA  
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
=6V, I =0  
100  
C
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
I =10mA, I =0  
10  
6
CEO  
EBO  
C
B
I =1mA, I =0  
V
E
C
h
h
V
V
=1V, I =0.5A  
140  
70  
600  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
=1V, I =2A  
200  
0.2  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter On Voltage  
I =2A, I =50mA  
0.5  
1.5  
V
V
CE  
C
B
V
=1V, I =2A  
0.86  
150  
27  
BE  
CE  
CE  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
=1V, I =0.5A  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
L
M
N
P
h
140 ~ 240  
200 ~ 330  
300 ~ 450  
420 ~ 600  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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