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KSC2785YBU

更新时间： 2024-09-14 19:07:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92S, 3 PIN

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KSC2785YBU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92S包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.53最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

KSC2785YBU 数据手册

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KSC2785  
Audio Frequency Amplifier & High  
Frequency OSC.  
•
•
Complement to KSA1175  
Collector-Base Voltage : V  
=60V  
CBO  
TO-92S  
1.Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
50  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
60  
50  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=40V, I =0  
0.1  
0.1  
700  
0.3  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
V
V
=3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=6V, I =1.0mA  
70  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =100mA, I =10mA  
0.15  
300  
2.5  
V
MHz  
pF  
CE  
C
B
f
V
=6V, I =10mA  
C
T
CE  
CB  
CE  
C
V
=6V, I =0, f=1MHz  
E
ob  
NF  
Noise Figure  
V
=6, I =0.5mA  
4.0  
dB  
C
f=1KHz, R =500Ω  
S
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
200 ~ 400  
L
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
350 ~ 700  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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