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KSC2310YBU

更新时间: 2024-09-16 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3 PIN

KSC2310YBU 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:999
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.46
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT APPLICABLE极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT APPLICABLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

KSC2310YBU 数据手册

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KSC2310  
High Voltage Power Amplifier  
Collector-Base Voltage : V  
Current Gain Bandwidth Product : f =100MHz  
=200V  
CBO  
T
TO-92L  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
200  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
150  
CEO  
EBO  
5
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
800  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
200  
150  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
V
=200V, I =0  
0.1  
240  
0.5  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=5V, I =10mA  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
V
CE  
C
B
f
V
=30V, I =10mA  
100  
3.5  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=10V, I =0, f=1MHz  
5
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  

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