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KSC2258A

更新时间: 2024-09-15 22:35:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
High Voltage General Amplifier

KSC2258A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIP包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.82外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:300 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):4 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

KSC2258A 数据手册

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KSC2258/2258A  
High Voltage General Amplifier  
TV Video Output Amplifier  
High BV  
CEO  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSC2258  
: KSC2258A  
250  
300  
V
V
V
V
CEO  
EBO  
: KSC2258  
: KSC2258A  
250  
300  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
6
100  
V
mA  
mA  
W
I
I
C
150  
CP  
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
4
C
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I = 0.1mA, I = 0  
6
EBO  
CER  
E
C
I
V
= 250V, R = 100KΩ  
100  
µA  
CE  
BE  
h
h
V
V
= 20V, I = 40mA  
40  
30  
FE1  
CE  
CE  
C
= 50V, I = 5mA  
C
FE2  
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
= 50mA, I = 5mA  
1.2  
1.2  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
V
V
= -20V, I = 40mA  
C
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
= 10V, I = 10mA  
100  
3
MHz  
pF  
T
C
C
= 50V, f = 1MHz  
4.5  
ob  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  

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