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KSC2258

更新时间： 2024-11-05 23:16:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
High Voltage General Amplifier

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KSC2258 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：250 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

KSC2258 数据手册

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KSC2258/2258A  
High Voltage General Amplifier  
TV Video Output Amplifier  
•
High BV  
CEO  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSC2258  
: KSC2258A  
250  
300  
V
V
V
V
CEO  
EBO  
: KSC2258  
: KSC2258A  
250  
300  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
6
100  
V
mA  
mA  
W
I
I
C
150  
CP  
P
T
T
Collector Dissipation (T =25°C)  
4
C
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I = 0.1mA, I = 0  
6
EBO  
CER  
E
C
I
V
= 250V, R = 100KΩ  
100  
µA  
CE  
BE  
h
h
V
V
= 20V, I = 40mA  
40  
30  
FE1  
CE  
CE  
C
= 50V, I = 5mA  
C
FE2  
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
= 50mA, I = 5mA  
1.2  
1.2  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
V
V
= -20V, I = 40mA  
C
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
= 10V, I = 10mA  
100  
3
MHz  
pF  
T
C
C
= 50V, f = 1MHz  
4.5  
ob  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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