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KSC1187

更新时间： 2024-02-13 09:47:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器电视
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier (Forward AGC)

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KSC1187 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：700 MHzBase Number Matches：1

KSC1187 数据手册

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KSC1187  
TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier  
(Forward AGC)  
•
•
High Current Gain Bandwidth Product : f =700MHz  
T
High Power Gain : G =24dB (TYP.) at f=45MHz  
PE  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
20  
CBO  
V
CEO  
EBO  
4
V
I
30  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
25  
4
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
V
=20V, I =0  
0.1  
µA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
V
V
V
=10V, I =2mA  
40  
240  
FE  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Power Gain  
=10V, I =3mA  
400  
700  
0.6  
24  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
E
RE  
G
=10V, I =3mA  
20  
dB  
PE  
C
f=45MHz  
V
AGC Voltage  
G = 30dB, f=45MHz  
4.4  
5.2  
6.0  
V
AGC  
R
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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