Datasheet > KSC1173YTSTU

KSC1173YTSTU

更新时间： 2024-09-23 19:48:59

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	245K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KSC1173YTSTU 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	LEAD FREE, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

KSC1173YTSTU 数据手册

August 2009

KSC1173

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features

• Low Frequency Power Amplifier, Power Regulator

• Collector Current : I_C=3A

• Collector Dissipation : P_C=10W (T_C=25°C)

• Complement to KSA473

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings * T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

P_C

Collector Dissipation (T_C=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

150

°C

T_STG

-55 to +150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

KSC1173 Rev. A2

www.fairchildsemi.com

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与KSC1173YTSTU相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KSC1173YTSTUA	ONSEMI	获取价格	NPN外延硅晶体管
KSC1173YTU	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
KSC1173YTU	ONSEMI	获取价格	NPN外延硅晶体管
KSC1187	FAIRCHILD	获取价格	TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier (Forward AGC)
KSC1187	SAMSUNG	获取价格	NPN (TV 1ST,2ND PICTURE IF AMPLIFIER)
KSC1187D26Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC1187D27Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC1187D75Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC1187J05Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic
KSC1187J18Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic