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KSC1173 PDF预览

KSC1173

更新时间： 2024-09-22 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体稳压器放大器晶体管功率双极晶体管开关功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
Low Frequency Power Amplifier Power Regulator

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KSC1173 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.72Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：10 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

KSC1173 数据手册

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KSC1173  
Low Frequency Power Amplifier  
Power Regulator  
•
•
•
Collector Current : I =3A  
C
Collector Dissipation : P =10W (T =25°C)  
C
C
Complement to KSA473  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
BV  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
BV  
BV  
30  
5
V
I
3
10  
A
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I
I
I
= 500µA, I = 0  
30  
30  
5
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= 10mA I = 0  
B
= -1mA, I = 0  
C
I
I
V
V
= 20V, I = 0  
1.0  
1.0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
= 5V, I = 0  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= 2V, I = 0.5A  
70  
25  
240  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 2V, I = 2.5A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
I
= 2A, I = 0.2A  
0.3  
0.75  
100  
35  
0.8  
1.0  
V
V
CE  
C
B
V
V
V
= 2V, I = 0.5A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Base Width Product  
Output Capacitance  
= 2V, I = 0.5A  
MHz  
pF  
T
C
C
= 10V, I =0,  
E
ob  
f = 1MHz  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
70 ~ 140  
Y
h
120 ~ 240  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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