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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSC1009G
KSC1009G PDF预览

KSC1009G

更新时间： 2024-01-07 06:25:04
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
High Voltage Amplifier

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KSC1009G 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.8 W最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

KSC1009G 数据手册

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KSC1009  
High Voltage Amplifier  
•
•
•
•
•
High Collector-Base Voltage : V  
=160V  
CBO  
Collector Current : I =700mA  
C
Collector Power Dissipation : P =800mW  
C
Complement to KSA709  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
160  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
140  
V
CEO  
EBO  
8
V
I
700  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
800  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
160  
140  
8
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=60V, I =0  
0.1  
0.1  
400  
0.7  
1.0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=2V, I =50mA  
40  
30  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =200mA, I =20mA  
0.2  
0.86  
50  
V
V
CE  
C
B
I =200mA, I =20mA  
BE  
C
B
f
V
=10V, I =50mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=10V, I =0, f=1MHz  
8
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
G
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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与KSC1009G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC1009-G SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
KSC1009GBU FAIRCHILD

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