KSA473R

更新时间： 2024-01-08 17:05:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体稳压器放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
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Transistor

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KSA473R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.72
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

KSA473R 数据手册

KSA473

Low Frequency Power Amplifier

Power Regulator

•

Collector Current : I = -3A

Collector Dissipation : P = 10W (T =25°C)

Complement to KSC1173

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Ratings

- 30

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

CBO

- 30

CEO

EBO

- 5

- 3

Collector Dissipation (T =25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

150

°C

- 55 ~ 150

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

= - 500µA, I = 0

- 30

- 5

CBO

CEO

EBO

= - 10mA, I = 0

I = - 1mA, I = 0

= - 20V, I = 0

- 1.0

240

µA

CBO

EBO

Emitter Cut-off Current

= - 5V, I = 0

DC Current Gain

= - 2V, I = - 0.5A

FE1

FE2

= - 2V, I = - 2.5A

(sat)

(on)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter ON Voltage

= - 2A, I = - 0.2A

- 0.3

- 0.75

100

- 0.8

- 1.0

= - 2V, I = - 0.5A

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

= - 2V, I = - 0.5A

MHz

= - 10V, I = 0,

f = 1MHz

Classification

70 ~ 140

120 ~ 240

FE1

Rev. A, February 2000

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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KSA473Y	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
KSA473-Y	SAMSUNG	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
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