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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.68 | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSA473OTSTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| KSA473R | FAIRCHILD |
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Transistor |
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| KSA473Y | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
|
| KSA473Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSA473-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| KSA473YJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| KSA473YTSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| KSA473YTSTUA | ONSEMI |
获取价格 |
PNP外延硅晶体管 |
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| KSA473YTU | ROCHESTER |
获取价格 |
3A, 30V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| KSA473YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO220, MOLDED, 3LD, NON-JEDEC, VARIATION AB [DUAL GUAGE] |
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