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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSA1142OSTU
KSA1142OSTU PDF预览

KSA1142OSTU

更新时间： 2024-09-19 13:01:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
5页 69K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU, STANDARD), 1920/RAIL

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KSA1142OSTU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-126
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：180 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：180 MHz
Base Number Matches：1

KSA1142OSTU 数据手册

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KSA1142  
Audio Frequency Power Amplifier  
High Freqency Power Amplifier  
•
Complement to KSC2682  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
- 180  
- 180  
- 5  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
V
CEO  
EBO  
V
I
- 100  
1.2  
mA  
W
C
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
a
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
8
W
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
µA  
I
I
V
V
= - 180V, I = 0  
- 1  
- 1  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= - 3V, I = 0  
µA  
C
h
h
V
V
= - 5V, I = - 1mA  
90  
100  
200  
200  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 5V, I = - 10mA  
320  
- 0.5  
- 1.5  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
= - 50mA, I = - 5mA  
- 0.16  
- 0.8  
180  
4.5  
V
V
CE  
C
C
B
= - 50mA, I = - 5mA  
BE  
B
f
V
V
V
= - 10V, I = - 20mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
CE  
C
C
= - 10V, I = 0, f=1MHz  
7
ob  
E
NF  
Noise Figure  
= - 10V, I = - 1mA  
4
dB  
C
R
= 10kΩ, f = 1MHz  
S
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE2  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
12345

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KSA1142OSTU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSA1142OSTU ONSEMI

功能相似

 PNP外延硅晶体管
KSC5024RTU FAIRCHILD

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KSD401G FAIRCHILD

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与KSA1142OSTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA1142Y FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast
KSA1142-Y SAMSUNG

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast
KSA1142YSTU ONSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast
KSA1150 SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S,
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 		Low Frequency Power Amplifier
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 		TO-92S
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S,
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