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KRC418E

更新时间： 2024-11-19 01:09:43

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KEC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	73K
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SEMICONDUCTOR

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KRC418E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.55	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	33	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

KRC418E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRC416E~KRC422E

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION

FEATURES

MILLIMETERS

DIM

· With Built-in Bias Resistors.

· Simplify Circuit Design.

1.60 0.10

0.85 0.10

0.70 0.10

· Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

0.27+0.10/-0.05

1.60 0.10

1.00 0.10

0.50

0.13+0.05

EQUIVALENT CIRCUIT

TYPE NO.

KRC416E

KRC417E

KRC418E

KRC419E

KRC420E

KRC421E

KRC422E

R1(kΩ ) R2(kΩ )

OUT

2.2

1. EMITTER

2. BASE

2.2

4.7

3. COLLECTOR

4.7

COMMON

ESM

100

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_O

RATING

UNIT

Output Voltage

KRC416E~422E

KRC416E

KRC417E

KRC418E

KRC419E

KRC420E

KRC421E

KRC422E

10, -5

12, -10

12,-5

V_I

Input Voltage

20, -7

30, -10

40, -15

40, -10

100

I_O

P_D

T_j

Output Current

℃

Power Dissipation

100

KRC416E~422E

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55∼ 150

℃

Marking

Type Name

MARK SPEC

TYPE

KRC416E KRC417E KRC418E KRC419E KRC420E KRC421E KRC422E

N2 N4 N5 N6 N7 N8 N9

MARK

2008. 11. 20

Revision No : 2

1/6

12 3 4 5 6

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