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KRC410V PDF预览

KRC410V

更新时间： 2024-09-17 01:05:27
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KEC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
SEMICONDUCTOR

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KRC410V 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz

KRC410V 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KRC410V~KRC414V  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
E
B
FEATURES  
· With Built-in Bias Resistors.  
· Simplify Circuit Design.  
DIM MILLIMETERS  
_
2
1
· Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.  
· High Packing Density.  
A
B
C
D
E
G
H
J
1.2 +0.05  
_
0.8 +0.05  
3
_
0.5+0.05  
_
0.3+0.05  
_
1.2+0.05  
EQUIVALENT CIRCUIT  
_
0.8+0.05  
0.40  
P
P
_
0.12+0.05  
C
_
0.2+0.05  
K
P
5
R1  
B
1. COMMON (EMITTER)  
2. IN (BASE)  
3. OUT (COLLECTOR)  
E
VSM  
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
SYMBOL RATING  
UNIT  
V
CHARACTERISTIC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
SYMBOL RATING  
UNIT  
mW  
℃
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
50  
5
PC  
Tj  
100  
150  
V
V
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55∼ 150  
℃
100  
mA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
100  
100  
-
UNIT  
nA  
ICBO  
IEBO  
hFE  
VCB=50V, IE=0  
-
-
-
VEB=5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
-
120  
-
nA  
VCE=5V, IC=1mA  
IC=10mA, IB=0.5mA  
VCE=10V, IC=5mA  
-
VCE(sat)  
fT *  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
0.1  
250  
0.3  
-
V
-
MHz  
KRC410V  
3.29  
7
4.7  
10  
6.11  
13  
KRC411V  
KRC412V  
KRC413V  
KRC414V  
R1  
70  
100  
22  
130  
28.6  
61.1  
Input Resistor  
kΩ  
15.4  
32.9  
47  
Note : * Characteristic of Transistor Only.  
Marking  
Type Name  
MARK SPEC  
TYPE  
KRC410V  
NK  
KRC411V  
NM  
KRC412V  
NN  
KRC413V  
NO  
KRC414V  
NP  
MARK  
2008. 11. 20  
Revision No : 2  
1/4  
1234

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