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KRA353

更新时间： 2024-11-19 11:31:27

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
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KRA353 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.8	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	47	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

KRA353 数据手册

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KRA353

USM PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

KRA353

Device Mark

hFE Grade

2006. 1st Week

[0:1st Character, 1:2nd Character]

* Lot No.

Note) * Lot No. marking method

(A)

(B)

(C)

(D)

(E)

(F)

(G)

(H)

(I)

(J)

1 st Character

Character

arrangement

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

(6)

(7)

(8)

(9)

(0)

2nd Character

Year

Marking (Week)

Periode (Year)

Remark

1 st Year (2006)

2 nd Year (2007)

4 rd Year (2008)

4 th Year (2009)

2006-2010-2014...

2007-2011-2015...

2008-2012-2016...

2009-2013-2017...

Rotation for 4 years

2008. 8. 29

Revision No : 0

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