Datasheet > KRA322V

KRA322V

更新时间： 2024-11-19 11:31:27

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KRA322V 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	62	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KRA322V

VSM PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

Device Mark

hFE Grade

KRA322V

2002. 12. 31

Revision No : 0

1/1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KRA351	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA352	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA353	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA354	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA356	KEC	获取价格	USM
KRA357	KEC	获取价格	USM
KRA521T	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRC
KRA522T	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRC
KRA523T	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRC
KRA524T	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRC