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KRA320E

更新时间： 2024-11-19 11:31:27

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	71K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KRA320E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	24	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	Base Number Matches：	1

KRA320E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRA316E~KRA322E

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION

FEATURES

MILLIMETERS

DIM

With Built-in Bias Resistors.

Simplify Circuit Design.

1.60 0.10

0.85 0.10

0.70 0.10

Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

0.27+0.10/-0.05

1.60 0.10

1.00 0.10

0.50

0.13+0.05

EQUIVALENT CIRCUIT

TYPE NO.

KRA316E

KRA317E

KRA318E

KRA319E

KRA320E

KRA321E

KRA322E

R1(k

)

R2(k

)

OUT

1. EMITTER

2. BASE

2.2

4.7

2.2

3. COLLECTOR

4.7

COMMON(+)

ESM

100

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_O

RATING

-50

UNIT

Output Voltage

KRA316E 322E

KRA316E

KRA317E

KRA318E

KRA319E

KRA320E

KRA321E

KRA322E

-10, 5

-12, 10

-12, 5

-20, 7

-30, 10

-40, 15

-40, 10

-100

V_I

Input Voltage

I_O

P_D

T_j

Output Current

Power Dissipation

Junction Temperature

100

KRA316E 322E

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

Marking

Type Name

MARK SPEC

TYPE KRA316E KRA317E KRA318E KRA319E KRA320E KRA321E KRA322E

MARK

2002. 7. 9

Revision No : 1

1/6

12 3 4 5 6

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