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KRA101M

更新时间: 2024-09-28 22:32:11
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KEC 晶体开关晶体管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
6页 594K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

KRA101M 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.74Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):30
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

KRA101M 数据手册

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