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KP4N12

更新时间： 2024-11-23 22:32:11

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新电元 - SHINDENGEN		光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	262K
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TSS KP Series

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KP4N12 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.87
Is Samacsys：	N	最小转折电压：	110 V
最大钳位电压：	135 V	配置：	SINGLE
最大断态直流电压：	100 V	最大维持电流：	100 mA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	2	通态非重复峰值电流：	40 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Silicon Surge Protectors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

KP4N12 数据手册

SHINDENGEN

TSS KP Series

SMD

OUTLINE DIMENSIONS

Case : 2F

KP4N12

(Unit : mm)

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings

Item

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Storage Temperature

Junction Temperature

Maximum Off-State Voltage

Tstg

V_DRM

-40～125

125

100

℃

10/1000μs, Non-repetitive

150

Surge On-State Current

I_TSM10/200μs, Non-repetitive

8/20μs, Non-repetitive

●Electrical Characteristics (Tl=25℃)

Item

Symbol

V_BO

Conditions

Ratings

Min 110

Max 10

Unit

Breakover Voltage

Off-State Current

Holding Current

Pulse measurement (Peak hold)

I_DRMV_D= V_DRM

μA

Pulse measurement

I_H

V_T

Min 100

TYP 1.25

Max 50

On-State Voltage

Junction Capacitance

I_T= 2A

f = 1kHz

OSC = 1V, V_D= 50V

Clamping Voltage

V_CL

dv/dt = 100V/μs

Max 135

12 3 4 5 6

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