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KP10R25

更新时间： 2024-01-24 02:43:56

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新电元 - SHINDENGEN		光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	256K
描述
TSS KP Series

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KP10R25 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.87	Is Samacsys：	N
最小转折电压：	220 V	最大钳位电压：	290 V
配置：	SINGLE	最大断态直流电压：	190 V
最大维持电流：	100 mA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	2
通态非重复峰值电流：	250 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Silicon Surge Protectors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

KP10R25 数据手册

SHINDENGEN

TSS KP Series

SMD

OUTLINE DIMENSIONS

Case : 2F

KP10R25

(Unit : mm)

RATINGS

●Absolute Maximum Ratings

Item

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Storage Temperature

Junction Temperature

Maximum Off-State Voltage

Tstg

V_DRM

-40～125

125

190

℃

10/1000μs, Non-repetitive

100

150

250

Surge On-State Current

I_TSM10/200μs, Non-repetitive

8/20μs, Non-repetitive

●Electrical Characteristics (Tl=25℃)

Item

Symbol

V_BO

Conditions

Ratings

Min 220

Max 10

Min 100

TYP 1.6

Max 90

Unit

Breakover Voltage

Off-State Current

Holding Current

Pulse measurement (Peak hold)

I_DRMV_D= V_DRM

μA

Pulse measurement

I_H

V_T

On-State Voltage

Junction Capacitance

I_T= 2A

f = 1kHz

OSC = 1V, V_D= 50V

Clamping Voltage

V_CL

dv/dt = 100V/μs

Max 290

12 3 4 5 6

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