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KOM2100B

更新时间： 2024-11-05 22:32:15

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英飞凌 - INFINEON		光电二极管光电二极管
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描述
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array

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KOM2100B 数据手册

KOM 2100 B

KOM 2100 BF

6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray

6-Chip Silicon PIN Photodiode Array

KOM 2100 B

KOM 2100 BF

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im

Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM

2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)

● Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)

● Kathode = Chipunterseite

● Especially suitable for applications from

400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of

880 nm (KOM 2100 BF)

● Short switching time (typ. 13 ns)

● Cathode = back contact

● Geeignet für Diodenbetrieb (mit

Vorspannung) und Elementbetrieb

● SMT-fähig

● Available as photodiode with reverse

voltage or photovoltaic cell

● Suitable for SMT

Anwendungen

Applications

● Universell, z.B. Drehwinkelgeber

● General-purpose, e.g. encoders

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

KOM 2100 B

Q62702-K35

Q62702-K34

Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit

klarem bzw. schwarzem Epoxyverguß

KOM 2100 BF

pcb with SMT flanks, cover frame sealed with

transparent or black epoxy

10.95

Semiconductor Group

469

12 3 4

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