2N5551

更新时间： 2024-01-11 15:43:36

品牌	Logo	应用领域
可天士 - KODENSHI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	223K
描述
NPN Silicon Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5551 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551 数据手册

2N5551

NPN Silicon Transistor

Descriptions

• General purpose amplifier

PIN Connection

• High voltage application

Features

• High collector breakdown voltage :

V_CBO= 180V, V_CEO= 160V

• Low collector saturation voltage :

_CE(sat)=0.5V(MAX.)

TO-92

• Complementary pair with 2N5401

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

2N5551

TO-92

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Characteristic

Symbol

Ratings

180

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

160

600

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

625

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

KSD-T0A034-000

12 3 4 5

下载PDF

与2N5551相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5551/D10Z-18	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D10Z-J14Z	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D10Z-J61Z	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D11Z-18	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D11Z-J14Z	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格
2N5551/D11Z-J61Z	TI	160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格