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KMM53232004BK

更新时间： 2024-11-04 22:36:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
19页 414K
描述
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V

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KMM53232004BK 数据手册

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DRAM MODULE  
KMM53232004BK/BKG  
KMM53232004BK/BKG EDO Mode  
32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The Samsung KMM53232004B is a 32Mx32bits Dynamic  
RAM high density memory module. The Samsung  
KMM53232004B consists of sixteen CMOS 16Mx4bits  
DRAMs in SOJ packages mounted on a 72-pin glass-epoxy  
substrate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted  
on the printed circuit board for each DRAM. The  
KMM53232004B is a Single In-line Memory Module with edge  
connections and is intended for mounting into 72 pin edge  
connector sockets.  
• Part Identification  
- KMM53232004BK(4K cycles/64ms Ref, SOJ, Solder)  
- KMM53232004BKG(4K cycles/64ms Ref, SOJ, Gold)  
• Extended Data Out Mode Operation  
• CAS-before-RAS & Hidden Refresh capability  
• RAS-only refresh capability  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single +5V±10% power supply  
• JEDEC standard PDpin & pinout  
PERFORMANCE RANGE  
• PCB : Height(1420mil), double sided component  
Speed  
-5  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
20ns  
25ns  
84ns  
104ns  
-6  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin Name  
Function  
A0 - A11  
Address Inputs  
1
2
3
4
5
6
7
8
VSS  
DQ0  
DQ18  
DQ1  
DQ19  
DQ2  
DQ20  
DQ3  
DQ21  
Vcc  
NC  
A0  
A1  
A2  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
NC  
NC  
Vss  
CAS0  
CAS2  
CAS3  
CAS1  
RAS0  
RAS1  
NC  
DQ0-7, DQ9-16  
DQ18-25, DQ27-34  
Data In/Out  
W
Read/Write Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Presence Detect  
Power(+5V)  
RAS0 - RAS3  
CAS0 - CAS3  
PD1 -PD4  
Vcc  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
W
NC  
DQ9  
DQ27  
DQ10  
DQ28  
DQ11  
DQ29  
DQ12  
DQ30  
DQ13  
DQ31  
Vcc  
DQ32  
DQ14  
DQ33  
DQ15  
DQ34  
DQ16  
NC  
Vss  
Ground  
A3  
A4  
A5  
A6  
NC  
No Connection  
A10  
DQ4  
DQ22  
DQ5  
DQ23  
DQ6  
DQ24  
DQ7  
DQ25  
A7  
PRESENCE DETECT PINS (Optional)  
Pin  
50NS  
60NS  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
Vss  
Vss  
NC  
Vss  
NC  
NC  
A11  
Vcc  
A8  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
A9  
RAS3  
RAS2  
NC  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
NC  
1234567...19

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM53232004BKG SAMSUNG

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 		32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53232004BKG-5 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM Module, 32MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM53232004BKG-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM53232004CK SAMSUNG

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 		32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53232004CK-5 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 32MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM53232004CK-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM53232004CKG SAMSUNG

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 		32M x 32 DRAM SIMM Using 16Mx4, 4K Refresh, 5V
KMM53232004CKG-5 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 32MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM5324000AV-5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM5324000AVG-5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72

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