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KMM374F803AK-5

更新时间： 2024-02-26 12:18:40

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	343K
描述
EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168

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KMM374F803AK-5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM168	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	32
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	603979776 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	31.75 mm
最大待机电流：	0.0045 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.35 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KMM374F803BK1-6	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, GLASS EPOXY, DIMM-168	获取价格
KMM374F803CK1-6	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, GLASS EPOXY, DIMM-168	获取价格
KMM374F803CK3-5	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS, GLASS EPOXY, DIMM-168	获取价格
KMM374F804BS-6	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168	获取价格
KMM374F804CS1-5	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 8MX72, 50ns, CMOS	获取价格
KMM374F804CS1-6	SAMSUNG	EDO DRAM Module, 8MX72, 60ns, CMOS	获取价格